據(jù) AnandTech 消息，英特爾現(xiàn)已分享了一些有關(guān)其下一代 Intel 4 工藝的消息。
據(jù)報(bào)道，該工藝將用于 2023 年發(fā)布的產(chǎn)品，它是英特爾第一個(gè)采用 EUV 的工藝。
Intel 4 將首先用于英特爾即將推出的 Meteor Lake 處理器，該處理器將屬于英特爾第 14 代酷睿家族。
除了在工藝技術(shù)上取得顯著進(jìn)步外，Meteor Lake 還將成為英特爾的第一個(gè)基于 tile / chiplet 的客戶端 CPU，使用 I / O 內(nèi)核、CPU 內(nèi)核和 GPU 內(nèi)核等 tile 模塊。
英特爾公布的數(shù)據(jù)顯示，Intel 4 的鰭片間距降至 30 納米，是 Intel 7 的 34 納米間距尺寸的 0.88 倍。
同樣，接觸柵之間的間距現(xiàn)在為 50nm，低于之前的 60nm。英特爾聲稱 Intel 4 的密度是 Intel 7 的 2 倍，或者更具體地說(shuō)，晶體管的尺寸減少了一半。
此外，新工藝對(duì)金屬層進(jìn)行了重大更改。英特爾在其 Intel 7 工藝的最底層用鈷代替了銅，該公司認(rèn)為出于晶體管壽命的原因，這是必要的。
對(duì)于 Intel 4，英特爾仍在使用鈷，但現(xiàn)在他們使用的不是純鈷，而是所謂的增強(qiáng)銅 (eCu)，即銅包覆鈷。
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