長(zhǎng)江存儲(chǔ)今日在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片X2-9060，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
據(jù)了解，每顆X2-6070 QLC閃存芯片共提供1.33Tb的存儲(chǔ)容量。而在I/O讀寫(xiě)性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實(shí)現(xiàn)1.6Gbps(Gigabits/s千兆位/秒)的數(shù)據(jù)傳輸速率。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，公司用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。
另?yè)?jù)財(cái)聯(lián)社報(bào)道，預(yù)計(jì)2020年底-2021年中旬陸續(xù)量產(chǎn)，目標(biāo)達(dá)到月產(chǎn)能10萬(wàn)片;供應(yīng)鏈消息透露，這款閃存已送樣。
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